IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有M...
IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO \r\n ...
2009年9月,比亚迪半导体自研的IGBT 1.0芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的 科技 成果鉴定,标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破,打破了国际巨头的...
短路点后面的元件不应该坏!如果整流后的直流母线发生短路,那么整流部分会损坏,因为还没流经逆变元件(IGBT),逆变元件(IGBT)不会损坏!如果整流元件和逆变元件(I...
长电科技(600584):半导体龙头股,公司主营半导体,电子原件,专用电子电气装置的研制、开发、生产及销售,公司拥有IGBT封装技术,同时其控股子公司正在积极研发IGBT产品...
IPM 是 Intelligent Power Module(智能功率模块)的缩写。它是一种集成电路模块,通常包括功率半导体器件(如 IGBT 或 MOSFET)、驱动电路、保护功能和其他相关电...
目前芯片设计这些赛道里,IGBT和模拟芯片领域都有IDM厂商,但数字芯片很少有做全产业链的,大家专注于自己的环节,分工合作。 这是因为IGBT和模拟芯片虽然技术和资金壁...
盖世汽车:此前,纬湃科技宣布与罗姆在碳化硅领域展开合作,此次合作的背景和目的是什么? Andreas Wolf:我们认为碳化硅...
此外,在半导体功率器件的研发上,早在2018年,上汽就和英飞凌成立了车用IGBT合资公司——上汽英飞凌汽车功率半导体(上...
IGBT、FRD芯片异常发热后的保护动作时间比较慢)。R—IPM进一步在各IGBT芯片内各温度检测元件,对于芯片的异常发热能...
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